Memoria para laptop 4gb samsung ddr3
Listado memoria para laptop 4gb samsung ddr3
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memoria ddr3 para laptop 4gb sk hynix vendo las 2 memorias x 99 soles la memoria esta casi nueva porque la cambie en una laptop que recién compre por una memoria de mayor capacidad5v ddr3 based environment without any changesddr3 sdram h5tc4g83bfr the h5tc4g43bfr-xxa andh5tc4g83bfr-xxaare a 4gb low power double data rate iii (ddr3l) synchronous dram, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density, high bandwidth and low power operation at 1) sk hynix 4gb ddr3l sdrams offer fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clockwhile all addresses and control inputs are latched on the rising edges of the ck (falling edges of the ck), data, data strobes and write data masks inputs are sampled on both rising and falling edges of it(please refer to the spd information for details9 µs at 85oc ~ 95 oc jedec standard 78ball fbga(x4/x8) driver strength selected by emrs dynamic on die termination supported asynchronous reset pin supported zq calibration supported tdqs (termination data strobe) supported (x8 only) write levelization supported 8 bit pre-fetch this product in compliance with the rohs directiveddr3l sdram provides backward compatibility with the 18 µs at 0oc ~ 85 oc - 3features vdd=vddq=1the data paths are internally pipelined and 8-bit prefetched to achieve very high bandwidth35v + v fully differential clock inputs (ck, ck) operation differential data strobe (dqs, dqs) on chip dll align dq, dqs and dqs transition with ck transition dm masks write data-in at the both rising and falling edges of the data strobe all addresses and control inputs except data, data strobes and data masks latched on the rising edges of the clock programmable cas latency supported programmable additive latency 0, cl-1, and cl-2 supported programmable cas write latency (cwl) = programmable burst length 4/8 with both nibble sequential and interleave mode bl switch on the fly 8banks average refresh cycle (tcase of 0 oc~ 95oc) - 7
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