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  • lectura/escritura secuencial 1 tb lectura de hasta mb/s escritura de hasta mb/s 500 gb lectura de hasta mb/s escritura de hasta mb/s 250 gb lectura de hasta mb/s escritura de hasta mb/s lectura/escritura aleatoria 1 tb hasta iops de lectura hasta iops de escritura 500 gb hasta iops de lectura hasta iops de escritura 250 gb hasta iops de lectura hasta iops de escriturawd black nvme ssd ofrece velocidades de lectura y escritura secuenciales de hasta mb/s para jugar, editar vídeos, realidad virtual y mucho másque nada le frenepresentamos wd black™ nvme™ ssd: la fuerza que impulsará todo lo que hagasin concesionesincluye la innovadora arquitectura de almacenamiento western digital nvme ssd, que combina una velocidad increíblemente rápida, un rendimiento de alto nivel y la tecnología 3d nand de western digitalwd black nvme ssd, con una capacidad de hasta 600 tbw y 1,75 millones de horas de mttf, es el ssd prácticamente invencible en el que puede confiarespecificaciones técnicas dimensiones del wd black nvme ssd capacidad 250 gb, 500 gb, 1 tb interfaz pcie gen3 8 gb/s, hasta 4 líneas formato m

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  • escritura secuencial (máximo) 145 mb/slatencia - lectura 8 µslatencia - escritura 30 µslectura aleatoria (alcance 100%) 190000 iopsescritura aleatoria (alcance 100%) 35000 iops0 x2 lectura secuencial (máximo) 900 mb/slectura aleatoria (alcance de 8 gb) (máximo) 190000 iopsescritura aleatoria (alcance de 8 gb) (máximo) 35000 iopsalimentación - inactiva 1 wattrevisar la compatibilidad de su placa base antes de comprar - slot m2 22 x 80mm interfaz pcie nvme 3alimentación - activa 3envío gratis a la dirección del comprador mediante olva courier

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  • Las iops de lectura y escritura aleatorias son de y 100 respectivamentedescripción del producto con el uso más frecuente de smartphones y pcs tabletas para grabación y reproducción multimedia, la demanda de velocidades de lectura y escritura de las tarjetas de memoria dedicadas aumentalas lecturas secuenciales son de hasta 50 mb/segundo y las velocidades de escritura alcanzan la especificación de velocidad uhs-i clase 1las tarjetas de memoria premier microsdhc/sdxc uhs-i u1 tienen mayor capacidad, pero sin subir el precio y proporcionan a los consumidores velocidades de lectura más rápidas con la especificación uhs-i u1 al precio de una tarjeta de clase 10otras características: altura: 1 mm altura del paquete: 5,5 mm ancho: 1,1 cm ancho del paquete: 8,45 cm cantidad por paquete: 1 capacidad: 32 gb certificación: fcc, ce, bsmi, vcci clase de memoria flash: class 10 color del producto: negro, gris peso: 0,25 g peso del paquete: 9,25 g profundidad: 1,5 cm profundidad del paquete: 12,9 cm tipo de tarjeta flash: microsdhc velocidad de escritura: 10 mb/s velocidad de lectura: 30 mb/s voltaje de memoria: v la entrega sin costo adicional se realiza en: ovalo higuereta, bolichera, mall del sur, universidad ricardo palma, estaciones del tren (cabitos, ayacucho, jorge chavez, atocongo, maria auxiliadora) otros lugares tienen recargo adicional, previa consulta antes de darle en comprarson realmente útiles para usuarios que disfrutan de fotografía y grabación de vídeo de alta definición0 uhs-i (ultra high speed 1, cumpliendo con la velocidad sd 2amplia gama de capacidades además de las opciones de capacidad de y 64gb una opción de paquete incluye una única tarjeta de memoria y un adaptador para tarjetas sd, permitiendo una transferencia de archivos fácil desde y hacia el hardware!! los precios de mis productos son los mejores de todo mercado libre!!! medios de pago formas de pago ofrecidas por el vendedor mercadodurabilidad estas tarjetas de memoria emplean error-code correction (ecc) y son extremadamente resistentes al frío, al calor e insensibles a los rayos x, haciendo de ellas las tarjetas de memoria más fuertes del mundo0 clase 10) y viene con un precio de entrada para consumidores que deseen una tarjeta dedicada para su smartphone o pc tabletaesta tarjeta de memoria serie premier implementa la última especificación sda 3la ejecución de varias aplicaciones a la vez no provoca pérdida en la velocidad de lectura/escritura

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  • Características generales capacidad = 250 gb formato = 2t gc (garbage collection) = auto garbage collection algorithm encriptación = aes 256-bit soporte modo suspensión en dispositivo = sí rendimiento lectura secuencial = hasta 550 mb/s escritura secuencial = hasta 520 mb/s lectura aleatoria (4kb, qd32) = hasta 98,000 iops escritura aleatoria (4kb, qd32) = hasta 90,000 iops lectura aleatoria (4kb, qd1) = hasta 10,000 iops escritura aleatoria (4kb, qd1) = hasta 42,000 iops entorno consumo de energía = *máximo: 45 ms garantía durabilidad = 150 tbw0g tipo nand = samsung v-nand 3bit mlc controller = samsung mjx controller memoria caché = samsung 512 mb low power ddr4 sdram características especiales soporte trim = trim soporte s8 (mm) peso = máx 505 pulgadas interfaz = interfaz sata 6 gb/s, 3 gb/s & sata 10 w durabilidad (mtbf) = 15 gb/ dimensiones = 100 x 695 millón de horas temperatura = 0 - 70 ¿ golpes = 1,500 g & 0

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