Cl11 sodimm
Listado cl11 sodimm
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Memoria crucial 4gb ddr3 cl11 sodimm pc3-12800 204 pines 1
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Memoria crucial 4gb ddr3 cl11 sodimm (pc3-12800) 204 pines 1 - s/
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Venta on-line samsung ddr3, 4gb, pcmhz, cl11 sodimm modelom471bch0-ck0 general memory specification compliance pc memory speed mhz data integrity check non-ecc upgrade type generic manufacturer samsung memory latency timings cl) module height (inch) 15 v cas latency cl11 latency timings ram features on-die termination (odt), dual rank, eight banks horario de atención: horas los 7 dÃas de la semana) venta solo por internet on-lineentrega en 24 horas lima, hasta 48 horas a nivel nacionalenvÃos a nivel nacional por olva courier, pitshagan todas las preguntas y consultasp uede dar en comprar sin compromiso para una atención personalizada18 data integrity check non-ecc chips organization 256 x 8 ram type dram form factor so-dimm 204-pin module height (inch) 118 technology ddr3 sdram storage capacity 4 gb registered or buffered unbuffered module configuration 512 x 64 chips organization 256 x 8 supply voltage 1
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Venta on-line samsung ddr3 2gb, pc, cl11, sodimm m471bchs-ck0
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Caracteristicas marca crucial modelo pc número de parte ctbf160b tipo sodimm capacidad 2gb tecnologÃa ddr3 velocidad mhz latencia cl11 voltaje 1
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This 204-pin sodimm uses gold contact fingerskvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm description this document describes valueram's 512m x 64-bit (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga components5v (v ~v) power supply ¿ vddq = 1the electrical and mechanical specifications are as follows: features ¿ jedec standard 15v (v ~ v) ¿ 800mhz fck for mb/sec/pin ¿ 8 independent internal bank ¿ programmable cas latency: ¿ programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock ¿ 8-bit pre-fetch ¿ burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address ?000? only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] ¿ bi-directional differential data strobe ¿ internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) ¿ on die termination using odt pin ¿ average refresh period 78us at lower than tcase 85°c, 3the spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 1
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Memoria kingston kvr16lsgb ddr3l, sodimm, mhz, cl11 (kvr16ls11/4) marca kingston numero de parte kvr16ls11/4 tipo ddr3 ddr3l sodimm capacidad (gb) 4 gb velocidad bus (mhz) mhz especificaciones adicionales cas latency: cl 11 voltaje: 135v uso recomendado notebook
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Memoria kingston kvr16lsgb, ddr3, sodimm, mhz, cl11 (kvr16ls11/8) marca kingston numero de parte kvr16ls11/8 tipo ddr3 sodimm capacidad (gb) 8 gb velocidad bus (mhz) mhz especificaciones adicionales cas latency: cl 11 voltaje: 135v uso recomendado notebook
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